nouvelles technologies

Méthode de dopage du graphène non-destructive utilisant l’écoulement post-décharge de plasmas à pression réduite

Partager: 
 

Méthode de dopage du graphène non-destructive utilisant l’écoulement post-décharge de plasmas à pression réduite

 

Description

Le graphène pourrait potentiellement remplacer le silicium dans les dispositifs électroniques si l’on réussit à y ouvrir une bande interdite. Une façon d’y arriver est de doper le graphène avec des atomes comme l’azote ou le bore. Jusqu’à maintenant, il n’existait pas de méthode de dopage substitutionnel post-croissance sans dommage pour le graphène.

La technique proposée est non-destructrice puisqu’elle repose sur des espèces à faible énergie cinétique par l’utilisation de l’écoulement post-décharge de plasmas à pression réduite. De plus, elle peut s’effectuer sous des conditions faciles à maintenir avec un minimum de puissance et est compatible avec les pratiques existant déjà dans l’industrie des semiconducteurs.

Avec ses propriétés mécaniques et électroniques extraordinaires, la liste des applications pour le graphène est longue. Le graphène dopé pourrait par exemple être utilisé dans des transistors à effets de champ, des supercondensateurs, des électrodes transparentes, des piles à combustible, des batteries et des senseurs.

Informations générales

Catégorie: 
Matériaux / technologies vertes / chimie industrielle
Chercheur: 
Luc Stafford

Contact: Morgan Guitton, Ing. Jr
Directrice de projets, Développement des affaires
morgan.guitton@univalor.ca